Efekti i diodës së karbitit të silikonit me fuqi të lartë në fotodetektorin PIN
Dioda PIN e karbitit të silikonit me fuqi të lartë ka qenë gjithmonë një nga pikat e nxehta në fushën e kërkimit të pajisjeve të energjisë.Një diodë PIN është një diodë kristalore e ndërtuar duke vendosur një shtresë gjysmëpërçuesi të brendshëm (ose gjysmëpërçues me përqendrim të ulët papastërtish) midis rajonit P+ dhe rajonit n+.I në PIN është një shkurtim në anglisht për kuptimin "i brendshëm", sepse është e pamundur të ekzistojë një gjysmëpërçues i pastër pa papastërti, kështu që shtresa I e diodës PIN në aplikacion është pak a shumë e përzier me një sasi të vogël P. -papastërtitë e tipit ose të tipit N.Aktualisht, dioda PIN e karabit të silikonit kryesisht miraton strukturën Mesa dhe strukturën e planit.
Kur frekuenca e funksionimit të diodës PIN kalon 100 MHz, për shkak të efektit të ruajtjes së disa transportuesve dhe efektit të kohës së kalimit në shtresën I, dioda humbet efektin e korrigjimit dhe bëhet një element i rezistencës dhe vlera e saj e rezistencës ndryshon me tensionin e paragjykimit.Në paragjykim zero ose të kundërt DC, impedanca në rajonin I është shumë e lartë.Në njëanshmërinë DC përpara, rajoni I paraqet një gjendje të rezistencës së ulët për shkak të injektimit të bartësit.Prandaj, dioda PIN mund të përdoret si një element me rezistencë të ndryshueshme, në fushën e kontrollit të mikrovalëve dhe RF, shpesh është e nevojshme të përdoren pajisje komutuese për të arritur ndërrimin e sinjalit, veçanërisht në disa qendra të kontrollit të sinjalit me frekuencë të lartë, diodat PIN kanë superiore Aftësitë e kontrollit të sinjalit RF, por gjithashtu përdoren gjerësisht në zhvendosjen e fazës, modulimin, kufizimin dhe qarqet e tjera.
Dioda e karbitit të silikonit me fuqi të lartë përdoret gjerësisht në fushën e energjisë për shkak të karakteristikave të saj superiore të rezistencës së tensionit, e përdorur kryesisht si tub ndreqës me fuqi të lartë.Dioda PIN ka një tension të lartë të prishjes kritike të kundërt VB, për shkak të shtresës së ulët të dopingut i në mes që mbart rënien kryesore të tensionit.Rritja e trashësisë së zonës I dhe zvogëlimi i përqendrimit të dopingut të zonës I mund të përmirësojë në mënyrë efektive tensionin e prishjes së kundërt të diodës PIN, por prania e zonës I do të përmirësojë rënien e tensionit përpara VF të të gjithë pajisjes dhe kohën e ndërrimit të pajisjes në një masë të caktuar, dhe dioda e bërë nga materiali i karbitit të silikonit mund të plotësojë këto mangësi.Karbidi i silikonit është 10 herë më i madh se fusha elektrike e prishjes kritike të silikonit, kështu që trashësia e zonës I të diodës karabit të silikonit mund të reduktohet në një të dhjetën e tubit të silikonit, duke ruajtur një tension të lartë prishjeje, shoqëruar me përçueshmërinë e mirë termike të materialeve të karbitit të silikonit. , nuk do të ketë probleme të dukshme të shpërndarjes së nxehtësisë, kështu që dioda e karbitit të silikonit me fuqi të lartë është bërë një pajisje ndreqëse shumë e rëndësishme në fushën e elektronikës moderne të energjisë.
Për shkak të rrymës së saj shumë të vogël të rrjedhjes së kundërt dhe lëvizshmërisë së lartë të bartësit, diodat e karbitit të silikonit kanë tërheqje të madhe në fushën e zbulimit fotoelektrik.Rryma e vogël e rrjedhjes mund të zvogëlojë rrymën e errët të detektorit dhe të zvogëlojë zhurmën;Lëvizshmëria e lartë e transportuesit mund të përmirësojë në mënyrë efektive ndjeshmërinë e detektorit PIN të karbitit të silikonit (PIN Photodetector).Karakteristikat e fuqisë së lartë të diodave të karbitit të silikonit mundësojnë detektorët PIN të zbulojnë burime më të forta drite dhe përdoren gjerësisht në fushën e hapësirës.Diodës së karbitit të silikonit me fuqi të lartë i është kushtuar vëmendje për shkak të karakteristikave të saj të shkëlqyera, dhe kërkimi i saj gjithashtu është zhvilluar shumë.
Koha e postimit: Tetor-13-2023